Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A VISHAY
Prekės kodas: SIR516DP-T1-RE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-05-20 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A
Tiekėjo specifikacijos
NomNr
SIR516DP-T1-RE3
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
63.7A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
27nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
9mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
71.4W
Pulsed drain current
200A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIR516DP-T1-RE3
Product ID
U-3116464
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
