Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 320mA; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP VISHAY
Prekės kodas: IRFDC20PBF
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-05-20 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 320mA; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP
Tiekėjo specifikacijos
NomNr
IRFDC20PBF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRFDC20PBF
Product ID
U-3127254
Case
HVMDIP
Drain current
0.32A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
18nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
4.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1W
Pulsed drain current
2.6A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
