Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 DIODES INCORPORATED

Prekės kodas: 2N7002A-7
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-49
0.13
50-249
0.08
250-999
0.07
1000-2999
0.06
3000+
0.06
didmeninis

Min. kiekis: 10

Kartotinis: 10

Iš viso:

1.30
2024-05-23 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-05-23 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra2350 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 DIODES INCORPORATED

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2187888
Prekinis ženklas
Prekės kodas
2N7002A-7

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

NomNr
2N7002A-7
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
2N7002A-7
Product ID
U-2187888
Case
SOT23
Drain current
0.14A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.37W
Pulsed drain current
0.8A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].