Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN ONSEMI
Prekės kodas: FDA59N25
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-05-31 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 11 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN ONSEMI
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
FDA59N25
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDA59N25
Product ID
U-2213649
Case
TO3PN
Drain current
35A
Drain-source voltage
250V
Gate charge
82nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
49mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
392W
Pulsed drain current
236A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
