Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W LUGUANG ELECTRONIC
Prekės kodas: LGE3M28065Q
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-05-17 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W LUGUANG ELECTRONIC
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Case
TO247-4
Drain current
67A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
163nC
Gate-source voltage
-4...18V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
THT
On-state resistance
39mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
326W
Pulsed drain current
211A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
NomNr
LGE3M28065Q
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M28065Q
Product ID
U-3869670
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
