Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 53W; TO247-3 GeneSiC SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: G2R1000MT17D
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-05-13 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 53W; TO247-3 GeneSiC SEMICONDUCTOR
Naudinga informacija
Specifikacijos
SKU
U-2246882
NomNr
G2R1000MT17D
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 53W; TO247-3
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Supplier's product code
G2R1000MT17D
Product ID
U-2246882
Case
TO247-3
Drain current
4A
Drain-source voltage
1.7kV
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
53W
Pulsed drain current
8A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
G2R1000MT17D
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
