Pristatymo terminai
2024-05-13 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Supplier's product code
IMW120R014M1HXKSA1
Product ID
U-2891186
Case
TO247
Drain current
89.3A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate-source voltage
-7...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
27mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
227W
Pulsed drain current
267.9A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
INFINEON
Product code
IMW120R014M1HXKSA1
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].