Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W Wolfspeed(CREE)

Prekės kodas: C3M0016120K
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
164.90
3-9
148.50
10-29
131.21
30+
117.78
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

164.90
2024-05-16 Numatomas pristatymas užsakius dabar
atsiskaitykite su
per 3 mėn. po 54.96 € be pabrangimo
per 24 mėn. po 9.63 €
Pavyzdžiui, skolinantis 164.90 €, kai sutartis sudaroma 24 mėn. terminui, metinė palūkanų norma – 26,9%, sutarties sudarymo mokestis - 0%, mėnesio sutarties mokestis – 0,41%, BVKKMN – 40,76%, bendra mokėtina suma – 231.12 €, mėnesio įmoka – 9.63 €.

Pristatymo terminai

2024-05-16 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

NėraNėra

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W Wolfspeed(CREE)

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2194511
Prekinis ženklas
NomNr
C3M0016120K

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

NomNr
C3M0016120K
Brand
Wolfspeed(CREE)
Supplier's product code
C3M0016120K
Product ID
U-2194511
Case
TO247-4
Drain current
85A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
211nC
Gate-source voltage
-8...19V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
Wolfspeed(CREE)
Mounting
THT
On-state resistance
28.8mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
556W
Pulsed drain current
250A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].