Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.9A; 350mW NEXPERIA

Prekės kodas: NX7002BKMYL
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-99
0.07
100-499
0.06
500-2499
0.05
2500-9999
0.05
10000+
0.05
didmeninis

Min. kiekis: 20

Kartotinis: 20

Iš viso:

1.40
2024-05-30 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-05-30 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

NėraNėra

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.9A; 350mW NEXPERIA

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2961366
Prekinis ženklas
Prekės kodas
NX7002BKMYL

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.9A; 350mW

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

NomNr
NX7002BKMYL
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
NX7002BKMYL
Product ID
U-2961366
Case
DFN1006-3
Drain current
0.2A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
1nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
5.7Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.35W
Pulsed drain current
0.9A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].