Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 BRIDGELUX

Prekės kodas: BXT1150N10J
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-24
0.29
25-99
0.18
100-499
0.12
500-3999
0.10
4000+
0.10
didmeninis

Min. kiekis: 5

Kartotinis: 5

Iš viso:

1.45
2024-05-17 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-05-17 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

NėraNėra

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 BRIDGELUX

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2590559
Prekinis ženklas
NomNr
BXT1150N10J

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

NomNr
BXT1150N10J
Brand
BRIDGELUX
Supplier's product code
BXT1150N10J
Product ID
U-2590559
Case
SOT89-3
Drain current
5.6A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
21nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
BRIDGELUX
Mounting
SMD
On-state resistance
135mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
32A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].