Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W VISHAY
Prekės kodas: SIA923AEDJ-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SIA923AEDJ-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA923AEDJ-T1-GE3
Product ID
U-3116328
Drain current
-4.5A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
25nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.165Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
7.8W
Pulsed drain current
-15A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET x2
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
