Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW DIODES INCORPORATED
Prekės kodas: DMN33D9LV-7A
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW DIODES INCORPORATED
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW
Tiekėjo specifikacijos
Product code
DMN33D9LV-7A
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN33D9LV-7A
Product ID
U-2876185
Case
SOT563
Drain current
0.2A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
1.23nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
7Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.2W
Pulsed drain current
0.8A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
