Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A SHINDENGEN
Prekės kodas: P4F60HP2-5600
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-06-06 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 498 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A SHINDENGEN
Naudinga informacija
Specifikacijos
SKU
U-1937102
Prekės kodas
P4F60HP2-5600
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
P4F60HP2-5600
Case
FTO-220AG (SC91)
Drain current
4A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
12.5nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
bulk
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
THT
On-state resistance
1.8Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
62.5W
Pulsed drain current
16A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
P4F60HP2-5600
Product ID
U-1937102
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
