LEMONA

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair VISHAY

Prekės kodas: SI1016CX-T1-GE3
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-9
0.600.60
10-49
0.50
50-99
0.35
100-499
0.30
500+
0.20
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

0.60
2025-09-11 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2025-09-11 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra2330 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39

Prekės aprašymas

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair VISHAY

Specifikacijos

SKU
U-3880092
Prekinis ženklas
Prekės kodas
SI1016CX-T1-GE3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair

Tiekėjo specifikacijos

Product code
SI1016CX-T1-GE3
Supplier's product code
SI1016CX-T1-GE3
Product ID
U-3880092
Case
SC89
Drain current
0.49/-0.49A
Drain-source voltage
20/-20V
Gate charge
2/2.5nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Kind of transistor
complementary pair
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
396/756mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.14W
Pulsed drain current
2A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N/P-MOSFET
Version
ESD
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].