LEMONA

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A VISHAY

Prekės kodas: SI3552DV-T1-E3
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-4
1.651.65
5-24
1.35
25-49
1.00
50-99
0.85
100+
0.70
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

1.65
2025-10-21 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2025-10-21 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra2873 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39

Prekės aprašymas

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A VISHAY

Specifikacijos

SKU
U-3822838
Prekinis ženklas
Prekės kodas
SI3552DV-T1-E3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A

Tiekėjo specifikacijos

Product code
SI3552DV-T1-E3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI3552DV-T1-E3
Product ID
U-3822838
Case
TSOP6
Drain current
2.5/-1.8A
Drain-source voltage
30/-30V
Gate charge
3.6/3.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
360/175mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.15W
Pulsed drain current
-7...8A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N/P-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].