Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 52.2A; Idm: 100A VISHAY
Prekės kodas: SIS184DN-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 52.2A; Idm: 100A VISHAY
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 52.2A; Idm: 100A
Tiekėjo specifikacijos
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIS184DN-T1-GE3
Product ID
U-3046144
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
52.2A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
32nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
7mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
33.3W
Pulsed drain current
100A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
SIS184DN-T1-GE3
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].