Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W BASiC SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: B2M065120H
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-06-07 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 9 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W BASiC SEMICONDUCTOR
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
B2M065120H
Case
TO247-3
Drain current
33A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
60nC
Gate-source voltage
-4...18V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
65mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
250W
Pulsed drain current
85A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
B2M065120H
Product ID
U-3054956
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
