Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W STMicroelectronics
Prekės kodas: SGT120R65AL
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W STMicroelectronics
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SGT120R65AL
Case
PowerFLAT 5x6
Drain current
9A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
3nC
Gate-source voltage
-10...7V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Kind of transistor
HEMT
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
192W
Pulsed drain current
36A
Technology
GaN
Type of transistor
N-JFET
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
SGT120R65AL
Product ID
U-3885488
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].