Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A IXYS

Prekės kodas: IXFN210N30P3
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
98.62
3-9
88.85
10+
78.52
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

98.62
2024-05-23 Numatomas pristatymas užsakius dabar
atsiskaitykite su
per 3 mėn. po 32.87 € be pabrangimo
per 24 mėn. po 5.76 €
Pavyzdžiui, skolinantis 98.62 €, kai sutartis sudaroma 24 mėn. terminui, metinė palūkanų norma – 26,9%, sutarties sudarymo mokestis - 0%, mėnesio sutarties mokestis – 0,41%, BVKKMN – 40,78%, bendra mokėtina suma – 138.24 €, mėnesio įmoka – 5.76 €.

Pristatymo terminai

2024-05-23 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra1 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A IXYS

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-220734
Prekinis ženklas
Prekės kodas
IXFN210N30P3

Tiekėjo prekės aprašymas

Module; single transistor; 300V; 192A; SOT227B; screw; Idm: 550A

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

NomNr
IXFN210N30P3
Brand
IXYS
Supplier's product code
IXFN210N30P3
Product ID
U-220734
Case
SOT227B
Drain current
192A
Drain-source voltage
300V
Electrical mounting
screw
Gate charge
268nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
IXYS
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
14.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.5kW
Pulsed drain current
550A
Reverse recovery time
250ns
Semiconductor structure
single transistor
Technology
HiPerFET™
Type of module
MOSFET transistor
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].