LEMONA

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 BASiC SEMICONDUCTOR

Prekės kodas: BGH75N65ZF1
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-4
18.9518.95
5-29
16.99
30-149
15.01
150-599
12.58
600+
12.17
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

18.95
2025-05-15 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2025-05-15 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra29 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 BASiC SEMICONDUCTOR

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-2710907
Prekinis ženklas
Prekės kodas
BGH75N65ZF1

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
BGH75N65ZF1
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
BGH75N65ZF1
Product ID
U-2710907
Case
TO247-4
Collector current
75A
Collector-emitter voltage
650V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
444nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
Power dissipation
405W
Pulsed collector current
300A
Technology
Trench
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
565ns
Turn-on time
84ns
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].