LEMONA

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A ONSEMI

Prekės kodas: UF3C065080K4S
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1+
46.3046.30
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

46.30
2025-09-16 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2025-09-16 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

NėraNėra

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39

Prekės aprašymas

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A ONSEMI

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-367988
Prekės kodas
UF3C065080K4S

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
UF3C065080K4S
Supplier's product code
UF3C065080K4S
Product ID
U-367988
Case
TO247-4
Drain current
23A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
43nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
190W
Pulsed drain current
65A
Technology
SiC
Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Version
ESD
Brand
ONSEMI
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].