Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW NEXPERIA
Prekės kodas: 2N7002.215
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-05-03 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 1455 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Pristatymas į namus (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Pristatymas į paštomatą (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
NomNr
2N7002.215
Case
SOT23
Drain current
0.19A
Drain-source voltage
60V
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.83W
Pulsed drain current
1.2A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
2N7002.215
Product ID
U-80217
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
