LEMONA

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Qorvo (UnitedSiC)

Prekės kodas: UJ3C065030B3
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1+
37,55 €37,55 €
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

37,55 €
2026-10-26 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2026-10-26 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra15 vnt.

Tiekėjo sandėlis

Lemona terminal

Naujiena! LEMONA electronics paštomatai, veikiantys 24/7

Naujiena! LEMONA electronics paštomatai, veikiantys 24/7Nemokamai

Užsakymai vykdomi darbo dienomis nuo 8:00 iki 17:00 val. Kai jūsų užsakymas bus paruoštas atsiėmimui, informuosime jus SMS žinute ir el. paštu. LEMONA electronics paštomatuose siuntos saugomos 5d. Paštomatą rasite šalia parduotuvės.
home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A Qorvo (UnitedSiC)

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-368319
Prekės kodas
UJ3C065030B3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
UJ3C065030B3
Supplier's product code
UJ3C065030B3
Product ID
U-368319
Case
D2PAK
Drain current
47A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
51nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of transistor
cascode
Manufacturer
Qorvo (UnitedSiC)
Mounting
SMD
On-state resistance
27mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
250W
Pulsed drain current
230A
Technology
SiC
Type of transistor
N-JFET / N-MOSFET
Version
ESD
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].