Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B VISHAY
Prekės kodas: VS-GT100DA120UF
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B VISHAY
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
VS-GT100DA120UF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
VS-GT100DA120UF
Product ID
U-3916900
Case
SOT227B
Collector current
100A
Electrical mounting
screw
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
VISHAY
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Pulsed collector current
240A
Semiconductor structure
single transistor
Technology
Trench
Type of semiconductor module
IGBT
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].