Pristatymo terminai
2025-05-14 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 3371 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A VISHAY
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SI2305CDS-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2305CDS-T1-GE3
Product ID
U-3104605
Case
SOT23
Drain current
-3.5A
Drain-source voltage
-8V
Gate charge
30nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
65mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.1W
Pulsed drain current
-20A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].