Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65.8A; Idm: 150A VISHAY
Prekės kodas: SIR106ADP-T1-RE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65.8A; Idm: 150A VISHAY
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65.8A; Idm: 150A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SIR106ADP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIR106ADP-T1-RE3
Product ID
U-3116414
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
65.8A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
52nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
9mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
83.3W
Pulsed drain current
150A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].