Russian

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A VISHAY

Номер продукта: SUP85N10-10-GE3
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-9
4.74
10-49
4.26
50-249
3.76
250-999
3.38
1000+
3.04
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

4.74
2024-05-09 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-09 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно250 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 30,00 €

(Заказы до 3 кг)

2,99 €

К 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,59 €

Shipping parcel

Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

1,99 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A VISHAY

Спецификации

Артикул
U-3116657
Марка
NomNr
SUP85N10-10-GE3

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A

Параметры товара поставщика

NomNr
SUP85N10-10-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SUP85N10-10-GE3
Product ID
U-3116657
Case
TO220AB
Drain current
85A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
160nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
22mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
250W
Pulsed drain current
240A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].