Russian

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12.6A; 8.36W NEXPERIA

Номер продукта: PMV55ENEAR
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-24
0.29
25-99
0.26
100-499
0.24
500-2999
0.21
3000+
0.20
B2B продажи

Мин. кол-во: 5

Кратность заказа: 5

Итого:

1.45
2024-05-13 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2024-05-13 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 30,00 €

(Заказы до 3 кг)

2,99 €

К 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,59 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

1,99 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12.6A; 8.36W NEXPERIA

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-2206763
Марка
NomNr
PMV55ENEAR

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12.6A; 8.36W

Полезная информация

Параметры товара поставщика

NomNr
PMV55ENEAR
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PMV55ENEAR
Product ID
U-2206763
Case
SOT23
Drain current
2A
Drain-source voltage
60V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
19nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
0.12Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
8.36W
Pulsed drain current
12.6A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].