Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A VISHAY
Prekės kodas: SI4401FDY-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-06-04 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 1072 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
NomNr
SI4401FDY-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI4401FDY-T1-GE3
Product ID
U-3104606
Case
SO8
Drain current
-11A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
31nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
18.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.2W
Pulsed drain current
-80A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
