Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W VISHAY
Prekės kodas: SIHB12N60ET1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-05-07 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Pristatymas į namus (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Pristatymas į paštomatą (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Tiekėjo specifikacijos
NomNr
SIHB12N60ET1-GE3
Case
D2PAK
Drain current
7.8A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
58nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.38Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
147W
Pulsed drain current
27A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHB12N60ET1-GE3
Product ID
U-3045808
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
