Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W DIODES INCORPORATED
Prekės kodas: DMN10H099SFG-7
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-06-04 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W DIODES INCORPORATED
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W
Tiekėjo specifikacijos
NomNr
DMN10H099SFG-7
Product ID
U-2876057
Case
PowerDI3333-8
Drain current
4.5A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
25.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
99mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.18W
Pulsed drain current
20A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN10H099SFG-7
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
