Сроки доставки
2025-08-28 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 1036 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 70,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 |
К 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,49 - 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39
Описание товара
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23 VISHAY
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SI2307CDS-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2307CDS-T1-GE3
Product ID
U-323649
Case
SOT23
Drain current
-2.2A
Drain-source voltage
-30V
Gate charge
6.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
138mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.8W
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].