Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; 0.7W; SO8 DIODES INCORPORATED

Номер продукта: DMN2029USD-13
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 70,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49

К 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39

Описание товара

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; 0.7W; SO8 DIODES INCORPORATED

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-166311
NomNr
DMN2029USD-13

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; 0.7W; SO8

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
DMN2029USD-13
Supplier's product code
DMN2029USD-13
Product ID
U-166311
Case
SO8
Drain current
4.8A
Drain-source voltage
20V
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.7W
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
DIODES INCORPORATED
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].