Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8 DIODES INCORPORATED

Номер продукта: DMN4031SSDQ-13
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 70,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49

К 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39

Описание товара

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8 DIODES INCORPORATED

Спецификации

Артикул
U-2876194
NomNr
DMN4031SSDQ-13

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8

Параметры товара поставщика

Product code
DMN4031SSDQ-13
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN4031SSDQ-13
Product ID
U-2876194
Application
automotive industry
Case
SO8
Drain current
5.6A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
18.6nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
50mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.6W
Pulsed drain current
40A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].