Сроки доставки
2025-05-15 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 13 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD VISHAY
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 3.6A; 62.5W; ESD
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Case
DPAK
Drain current
1.8A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
10.5nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
2.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
62.5W
Pulsed drain current
3.6A
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Product code
SIHD2N80AE-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHD2N80AE-GE3
Product ID
U-1900562
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].