Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23 VISHAY

Номер продукта: SI2366DS-T1-GE3
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 70,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49

К 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23 VISHAY

Спецификации

Артикул
U-3825395
Марка
NomNr
SI2366DS-T1-GE3

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23

Параметры товара поставщика

Product code
SI2366DS-T1-GE3
Supplier's product code
SI2366DS-T1-GE3
Product ID
U-3825395
Case
SOT23
Drain current
5.8A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
10nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
36mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Pulsed drain current
20A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].