Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3 MICROCHIP TECHNOLOGY

Номер продукта: APT9M100B
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-2
7.157.15
3-9
6.65
10+
6.35
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

7.15
2025-10-08 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2025-10-08 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 70,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49

К 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3 MICROCHIP TECHNOLOGY

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-1905969
NomNr
APT9M100B

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Brand
MICROCHIP TECHNOLOGY
Supplier's product code
APT9M100B
Product ID
U-1905969
Case
TO247-3
Drain current
6A
Drain-source voltage
1kV
Gate charge
80nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY
Mounting
THT
On-state resistance
1.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
335W
Pulsed drain current
37A
Technology
POWER MOS 8®
Type of transistor
N-MOSFET
Product code
APT9M100B
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].