Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3 INFINEON TECHNOLOGIES

Номер продукта: IPD12CN10NGATMA1
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-9
2.552.55
10-49
1.85
50-99
1.50
100-499
1.35
500+
1.30
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

2.55
2025-06-19 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2025-06-19 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно1842 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 70,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49 €

К 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3 INFINEON TECHNOLOGIES

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-216842
NomNr
IPD12CN10NGATMA1

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
IPD12CN10NGATMA1
Brand
INFINEON TECHNOLOGIES
Supplier's product code
IPD12CN10NGATMA1
Product ID
U-216842
Case
PG-TO252-3
Drain current
67A
Drain-source voltage
100V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
12.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Technology
OptiMOS™ 2
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].