Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 DIODES INCORPORATED

Номер продукта: DMG4496SSS-13
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49 €

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 DIODES INCORPORATED

Спецификации

Артикул
U-2876039
NomNr
DMG4496SSS-13

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8

Параметры товара поставщика

Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMG4496SSS-13
Product code
DMG4496SSS-13
Product ID
U-2876039
Case
SO8
Drain current
6A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
10.2nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
29mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.42W
Pulsed drain current
60A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].