Сроки доставки
2025-11-27 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 27 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 70,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 |
К 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,49 - 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39
Описание товара
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268 IXYS
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO268
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IXBT10N170
Supplier's product code
IXBT10N170
Product ID
U-220340
Case
TO268
Collector current
10A
Collector-emitter voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
high voltage
Gate charge
30nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tube
Manufacturer
IXYS
Mounting
SMD
Power dissipation
140W
Pulsed collector current
40A
Technology
BiMOSFET™
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
1.8µs
Turn-on time
63ns
Brand
IXYS
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].