Transistor: IGBT; 650V; 40A; 169.68W; D2PAK; automotive industry ONSEMI
Номер продукта: AFGB40T65RQDN
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 70,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 |
К 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,49 - 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39
Описание товара
Transistor: IGBT; 650V; 40A; 169.68W; D2PAK; automotive industry ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 40A; 169.68W; D2PAK; automotive industry
Параметры товара поставщика
Product code
AFGB40T65RQDN
Supplier's product code
AFGB40T65RQDN
Product ID
U-4724910
Application
automotive industry
Case
D2PAK
Collector current
40A
Collector-emitter voltage
650V
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
51nC
Gate-emitter voltage
±20V
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Power dissipation
169.68W
Pulsed collector current
160A
Type of transistor
IGBT
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].