Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A IXYS

Номер продукта: IXFN360N10T
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Марка
Больше похожих продуктов

Ценовые границы

КоличествоСтоимость с НДС (шт.)
1-4
39.0039.00
5-9
33.30
10+
32.00
B2B продажи

Мин. кол-во: 1

Кратность заказа: 1

Итого:

39.00
2025-07-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Сроки доставки

2025-07-24 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

Доступно238 шт.

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 70,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49

К 70,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39

Описание товара

Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A IXYS

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-220752
Марка
NomNr
IXFN360N10T

Описание товара от поставщика

Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
IXFN360N10T
Supplier's product code
IXFN360N10T
Product ID
U-220752
Case
SOT227B
Drain current
360A
Drain-source voltage
100V
Electrical mounting
screw
Gate charge
525nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhancement
Manufacturer
IXYS
Mechanical mounting
screw
On-state resistance
2.6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
830W
Pulsed drain current
900A
Reverse recovery time
130ns
Semiconductor structure
single transistor
Technology
HiPerFET™
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Brand
IXYS
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].