Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: FP15R12W1T4B3
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 70,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 |
К 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,49 - 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39
Описание товара
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A INFINEON TECHNOLOGIES
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
FP15R12W1T4B3
Supplier's product code
FP15R12W1T4B3
Product ID
U-191383
Case
AG-EASY1B-1
Collector current
15A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Max. off-state voltage
1.2kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
130W
Pulsed collector current
30A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
three-phase diode bridge
Brand
INFINEON
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].