Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: FB30R06W1E3
Фотография носит иллюстративный характер. Точные технические характеристики товара смотрите в описании.
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 70,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 |
К 70,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,49 - 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39
Описание товара
Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W INFINEON TECHNOLOGIES
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
FB30R06W1E3
Product ID
U-185919
Case
AG-EASY1B-1
Collector current
30A
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Max. off-state voltage
0.6kV
Mechanical mounting
screw
Power dissipation
115W
Pulsed collector current
60A
Semiconductor structure
diode/transistor
Technology
EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module
IGBT
Topology
NTC thermistor
Brand
INFINEON
Supplier's product code
FB30R06W1E3
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].