LEMONA

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.1W; PQFN2X2 INFINEON TECHNOLOGIES

Prekės kodas: IRLHS6342TRPBF
no gallery
no gallery
INFINEON
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1+
0.41
didmeninis

Min. kiekis: 4000

Kartotinis: 4000

Iš viso:

1,640.00
2024-06-04 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-06-04 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

NėraNėra

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

INFINEON
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.1W; PQFN2X2 INFINEON TECHNOLOGIES

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-218810
Prekinis ženklas
Prekės kodas
IRLHS6342TRPBF

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.1W; PQFN2X2

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
IRLHS6342TRPBF
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IRLHS6342TRPBF
Product ID
U-218810
Case
PQFN2X2
Drain current
8.5A
Drain-source voltage
30V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
11nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
15.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.1W
Technology
HEXFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].