Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42.1W VISHAY
Prekės kodas: SISS60DN-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-05-09 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Pristatymas į namus (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Pristatymas į paštomatą (1-4d.d. jei prekes turime sandėlyje)
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 42.1W
Tiekėjo specifikacijos
NomNr
SISS60DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
145.4A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
85.5nC
Gate-source voltage
-12...16V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
2.01mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
42.1W
Pulsed drain current
200A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET + Schottky
Supplier's product code
SISS60DN-T1-GE3
Product ID
U-3046235
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
