Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W VISHAY
Prekės kodas: SIHU6N80AE-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-06-04 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Tiekėjo specifikacijos
NomNr
SIHU6N80AE-GE3
Supplier's product code
SIHU6N80AE-GE3
Product ID
U-3046091
Case
IPAK
Drain current
3.2A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
22.5nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
0.95Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
62.5W
Pulsed drain current
10A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
