Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W ONSEMI
Prekės kodas: FDG6303N
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-06-20 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 1125 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W ONSEMI
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
FDG6303N
Supplier's product code
FDG6303N
Product ID
U-2412882
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Case
SC70-6
Drain current
0.5A
Drain-source voltage
25V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
2.3nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
770mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.3W
Pulsed drain current
1.3A
Technology
DMOS
Type of transistor
N-MOSFET x2
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
