Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; D2PAK ONSEMI
Номер продукта: FQB50N06TM
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-05-09 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Доставка на дом (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
Получение в почтомате (1-4 рабочих дня, если товар есть на складе)
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; D2PAK ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; D2PAK
Параметры товара поставщика
Product code
FQB50N06TM
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FQB50N06TM
Product ID
U-2349521
Case
D2PAK
Drain current
35.4A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
41nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
22mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
120W
Pulsed drain current
200A
Technology
QFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
