IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A ONSEMI
Номер продукта: NCP5181DR2G
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-06-04 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 1879 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A ONSEMI
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.2÷1.4A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NCP5181DR2G
Product ID
U-2193468
Case
SO8
Impulse rise time
60ns
Kind of integrated circuit
high-/low-side
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Number of channels
2
Operating temperature
-40...125°C
Output current
-2.2...1.4A
Protection
undervoltage UVP
Pulse fall time
40ns
Supply voltage
10...20V DC
Type of integrated circuit
driver
Topology
IGBT half-bridge
Voltage class
600V
Product code
NCP5181DR2G
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
